যদিও TSMC-এর তুলনীয় উত্পাদন প্রক্রিয়াগুলি Intel এর 20A (2nm-শ্রেণী) এবং 18A (1.8nm-শ্রেণী) ফ্যাব্রিকেশন প্রযুক্তির আগে উপলব্ধ হবে বলে আশা করা হচ্ছে, বিশ্বের বৃহত্তম চুক্তি চিপ প্রস্তুতকারক বিশ্বাস করে যে এর N3P (3nm-শ্রেণীর) প্রযুক্তির মতো বৈশিষ্ট্যগুলি প্রদান করবে। ইন্টেলের 18A যখন এর N2 (2nm-শ্রেণী) পাওয়ার, পারফরম্যান্স এবং এলাকা (PPA) সুবিধার ক্ষেত্রে সব ফ্রন্টে এটিকে ছাড়িয়ে যাবে।
RibbonFET গেট-অল-অ্যারাউন্ড ট্রানজিস্টর এবং ব্যাকসাইড পাওয়ার ডেলিভারি নেটওয়ার্ক (BSPDN) প্রবর্তনের সাথে, দুটি প্রযুক্তি উচ্চ কার্যক্ষমতা, কম বিদ্যুত খরচ এবং ট্রানজিস্টরের ঘনত্ব বৃদ্ধি করার উদ্দেশ্যে, ইন্টেলের 20A ফ্যাব্রিকেশন প্রযুক্তি, 2024 সালে পৌঁছানোর জন্য নির্ধারিত, প্রতিশ্রুতি দেয় উদ্ভাবনের ক্ষেত্রে একটি যুগান্তকারী হতে হবে। ইতিমধ্যে, Intel-এর 18A প্রোডাকশন নোড 20A-এর উদ্ভাবনগুলিকে আরও পরিমার্জন করে 2024 সালের শেষের দিকে বা 2025 সালের প্রথম দিকে PPA বাড়ানোর পরিকল্পনা করা হয়েছে।
TSMC তার FinFET ট্রানজিস্টর ব্যবহার করে 3nm-শ্রেণীর N3, N3E, N3P, এবং N3X তৈরির কৌশল তৈরি করেছে
বিশ্বের ন্যানোশিট GAA ট্রানজিস্টর এবং BSPDN-এর বৃহত্তম ফাউন্ড্রি TSMC-এর N2 নোডে যোগ করা হবে, যা 2H 2025 সালে উচ্চ-ভলিউম উত্পাদন শুরু করবে, যখন N2P, যা 2026 সালের শেষের দিকে ব্যাপক উত্পাদন শুরু করবে, পরবর্তীটি চালু করবে .
আসন্ন বছরগুলিতে, ইন্টেলের মূল উদ্দেশ্যগুলির মধ্যে একটি হল প্রযুক্তিগত নেতৃত্বের ক্ষেত্রে TSMC-কে ছাড়িয়ে যাওয়া এবং অত্যাধুনিক নোডের প্রয়োজনে ব্যবসার কাছ থেকে ফাউন্ড্রি অর্ডার জেতা। এটি করার জন্য, ইন্টেল পরবর্তী পাঁচ চতুর্থাংশের মধ্যে তিনটি উন্নত উত্পাদন প্রক্রিয়া চালু করার পরিকল্পনা করেছে এবং 2H 2024 থেকে 1H 2025 পর্যন্ত, এটি তার 2nm এবং 1.8nm-শ্রেণীর উত্পাদন প্রযুক্তির ব্যাপক উত্পাদন শুরু করবে। যাইহোক, TSMC মনে করে যে এমনকি এর N3P নোড, যা 2025 সালে ব্যবহার করা হবে, কম দামে Intel এর 18A-এর সাথে তুলনীয় PPA প্রদান করবে, যখন এটির N2, এমনকি যদি এটি আরও এক বছর বাজারে না আসে তবে এটিকে ছাড়িয়ে যাবে।
এছাড়াও পড়ুন:
